3d nand 文章 最新資訊
3D-IC將如何改變芯片設(shè)計
- 專家在座：半導(dǎo)體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設(shè)計挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費(fèi)薩爾;是德科技新機(jī)會業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元
- 總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責(zé)任公司（長存集團(tuán)）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨(dú)角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機(jī)構(gòu)同步參與；7月，長存集團(tuán)新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
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第一次深入真正的3D-IC設(shè)計
- 專家在座：半導(dǎo)體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費(fèi)薩爾;是德科技新機(jī)會業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
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SK 海力士據(jù)報道與客戶協(xié)商價格調(diào)整，跟隨美光和三星
- 存儲巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場條件調(diào)整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據(jù) EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費(fèi)級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來源還表
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Kioxia 股價因 NAND 短缺上漲 70%；SK hynix 收獲股份收益
- 根據(jù)韓國媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產(chǎn)商 Kioxia 的股價在 NAND 市場供應(yīng)短缺的情況下急劇上漲。報道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia——在多年等待后現(xiàn)在正實(shí)現(xiàn)顯著的價值增長。報道指出，截至 16 日，Kioxia 在東京證券交易所的股價在過去一個月內(nèi)上漲了 70%。隨著鎧俠股價飆升，作為主要投資者的 SK 海力士也從中受益。據(jù)報道，2018 年 SK 海力士投資了 3950 億日元（約 3.9 萬億韓元）的貝恩資本主導(dǎo)的
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美光凍結(jié)價格，推理 AI 推動 SSD 需求激增及供應(yīng)短缺
- 隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓(xùn)練 AI 轉(zhuǎn)向推理 AI，推動了對大容量內(nèi)存需求的持續(xù)增長，并導(dǎo)致內(nèi)存供應(yīng)緊張從 DRAM 轉(zhuǎn)向 NAND。供應(yīng)鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調(diào) 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產(chǎn)品的價格一周。行業(yè)內(nèi)部人士報告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報價，涵蓋 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品，甚至不愿意討論明年的長期合同。供應(yīng)鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預(yù)測）后，美光發(fā)現(xiàn)將面臨嚴(yán)重的供應(yīng)短缺，促使公司緊急暫停
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國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術(shù)：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運(yùn)行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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長江存儲加速產(chǎn)能擴(kuò)張：新公司注冊資本達(dá)207億，其認(rèn)繳出資104億元
- 現(xiàn)在，國產(chǎn)存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊成立，注冊資本高達(dá)207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計、銷售及芯片產(chǎn)品進(jìn)出口，并涉及技術(shù)服務(wù)、貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口等全鏈條業(yè)務(wù)，引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。股權(quán)結(jié)構(gòu)方面，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司由長江存儲科技有限責(zé)任公司與湖北長晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責(zé)任公司持股比例為50.19%、認(rèn)繳104億元；湖北長
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汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙
- 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因?yàn)樗捎米詣玉{駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項(xiàng)有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計和實(shí)施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動的電子設(shè)計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
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內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴
- 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
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實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
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第二季度NAND收入環(huán)比增長22%
- TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長22%，達(dá)到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長 52.5%，達(dá)到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環(huán)比增長11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長 3.7%，達(dá)到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長 12.2% 至 19 億美元
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響
- 三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風(fēng)險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補(bǔ)充說，值得注意的是，美國政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營，但不會批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時候通過出售其大連工廠
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三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計劃
- 據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進(jìn)NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對NAND的投資負(fù)擔(dān)加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進(jìn)轉(zhuǎn)換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉(zhuǎn)換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設(shè)備，效率較高。然而，近期三星針對最先進(jìn)NAND的轉(zhuǎn)換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資
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美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證
- 美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴(yán)苛環(huán)境使用而設(shè)計。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗(yàn)證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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